Unidades de memoria flash

Memoria flash nand

La capacidad de almacenamiento ya no depende de la capacidad física de su ordenador. Existen muchas opciones para guardar sus archivos y ahorrar espacio de almacenamiento en su ordenador, teléfono o tableta. Si tus dispositivos son lentos y se quedan sin espacio, puedes descargar los archivos en un dispositivo de almacenamiento físico. O mejor aún, utiliza la mejor tecnología de almacenamiento y guarda tus archivos en la nube.
Aunque no es exactamente un dispositivo en sí, el almacenamiento en la nube es el tipo de almacenamiento más novedoso y versátil para los ordenadores. «La nube» no es un lugar u objeto, sino una enorme colección de servidores alojados en centros de datos de todo el mundo. Cuando guardas un documento en la nube, lo estás almacenando en estos servidores.
Aunque los discos duros externos y las unidades de estado sólido (SSD) fueron en su día los favoritos por su portabilidad, también se quedan cortos en comparación con el almacenamiento en la nube. No hay muchos discos duros externos fáciles de transportar. Aunque son más pequeños y ligeros que la unidad de almacenamiento interna de un ordenador, siguen siendo dispositivos tangibles.  La nube, en cambio, puede acompañarte a cualquier lugar sin ocupar espacio físico y sin las vulnerabilidades físicas de un disco externo.

Tipos de memoria flash

Pua Khein-Seng (chino: 潘健成; nacido el 29 de junio de 1974), afirma ser uno de los inventores de la unidad flash USB. En una entrevista con el periódico malasio The Star, el director general de Phison Electronics Corp, con sede en Taiwán, afirma haber incorporado la primera unidad flash USB de un solo chip del mundo. Se le considera el «padre del pendrive» en Malasia.[1] Criado en Sekinchan, Selangor (Malasia),[2] Pua se licenció en ingeniería de control eléctrico en la Universidad Nacional Chiao Tung de Taiwán y desde entonces reside en ese país.[3]

Memoria nand

El almacenamiento flash es una tecnología de estado sólido que utiliza chips de memoria flash para escribir y almacenar datos. Las soluciones van desde las unidades USB hasta las matrices de nivel empresarial. El almacenamiento flash puede lograr tiempos de respuesta muy rápidos (latencia de microsegundos), en comparación con los discos duros con componentes móviles. Utiliza una memoria no volátil, lo que significa que los datos no se pierden cuando se desconecta la alimentación. Tiene una alta disponibilidad y utiliza menos energía y espacio físico que el almacenamiento en disco mecánico.
Una matriz de almacenamiento combina varias unidades de disco para permitir el almacenamiento de datos por bloques. Separa el almacenamiento de las funciones de comunicación y conexión a la red para proporcionar más capacidad que un grupo de servidores de archivos. Con una matriz de almacenamiento, varios servidores de la organización pueden acceder eficazmente a los mismos datos almacenados. También se conoce como matriz de discos o matriz de almacenamiento de discos.
Una unidad de disco de estado sólido (SSD) almacena los datos utilizando una memoria flash. Un SSD tiene ventajas sobre una unidad de disco duro (HDD). Los discos duros tienen una latencia inherente, causada por los componentes mecánicos. Un sistema de estado sólido no tiene piezas móviles y, por tanto, tiene menos latencia, por lo que se necesitan menos SSD. Como la mayoría de las unidades SSD modernas están basadas en flash, el almacenamiento flash es sinónimo de sistema de estado sólido.

Retroalimentación

EEPROM (también E2PROM) significa memoria de sólo lectura programable y borrable eléctricamente y es un tipo de memoria no volátil que se utiliza en ordenadores, integrada en microcontroladores para tarjetas inteligentes y sistemas remotos sin llave, y en otros dispositivos electrónicos para almacenar cantidades relativamente pequeñas de datos permitiendo borrar y reprogramar bytes individuales.
Las EEPROM se organizan como conjuntos de transistores de puerta flotante. Las EEPROM pueden programarse y borrarse en el circuito, aplicando señales especiales de programación. Originalmente, las EEPROM estaban limitadas a operaciones de un solo byte, lo que las hacía más lentas, pero las EEPROM modernas permiten realizar operaciones de página de varios bytes. Una EEPROM tiene una vida limitada para el borrado y la reprogramación, que ahora alcanza el millón de operaciones en las EEPROM modernas. En una EEPROM que se reprograma con frecuencia, la vida útil de la EEPROM es una consideración de diseño importante.
La memoria flash es un tipo de EEPROM diseñado para ofrecer alta velocidad y alta densidad, a expensas de grandes bloques de borrado (normalmente 512 bytes o más) y un número limitado de ciclos de escritura (a menudo 10.000). No existe una frontera clara entre ambas, pero el término «EEPROM» se utiliza generalmente para describir una memoria no volátil con bloques de borrado pequeños (de hasta un byte) y una larga vida útil (normalmente 1.000.000 de ciclos). Muchos microcontroladores incluyen ambas cosas: memoria flash para el firmware y una pequeña EEPROM para los parámetros y el historial.